CY7C1333-66AC
CY7C1333-66AC
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- 商品型号
- CY7C1333-66AC
- 商品编号
- C2955600
- 商品封装
- LQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 3.135V~3.465V | |
| 读写时间 | 12ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 310mA | |
| 待机电流 | 5mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1333是一款3.3V、64K×32的同步直通突发静态随机存取存储器(SRAM),专门设计用于支持无等待状态的无限连续读写操作。该器件配备先进的无总线延迟(NoBL™)逻辑,可在每个时钟周期传输数据,从而实现连续的读写操作。这一特性显著提高了通过SRAM的数据吞吐量,尤其适用于需要频繁进行写 - 读转换的系统。CY7C1333在引脚和功能上与ZBT SRAM MT55L64L32F兼容。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。时钟输入由时钟使能(CEN)信号限定,当CEN无效时,操作暂停并延长前一个时钟周期。从时钟上升沿起的最大访问延迟为12.0 ns(66 - MHz器件)。写操作由四个字节写选择(BWS[0:3]上划线)和一个写使能(WE)输入控制。所有写操作通过片上同步自定时写电路进行。三个同步片选(CE1上划线、CE2、CE3上划线)和一个异步输出使能(OE)便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线冲突,在写序列的数据部分,输出驱动器同步进入三态。
商品特性
- 引脚与ZBT™器件MT55L64L32F兼容,功能等效
- 支持66 - MHz总线操作,零等待状态,每个时钟周期传输数据
- 内部自定时输出缓冲控制,无需使用OE
- 直通操作的寄存器输入
- 字节写功能
- 64K×32通用I/O架构
- 单3.3V电源供电
- 快速时钟到输出时间 —— 12.0 ns(66 - MHz器件) —— 14.0 ns(50 - MHz器件)
- 时钟使能(CEN)引脚用于暂停操作
- 同步自定时写操作
- 异步输出使能
- JEDEC标准100引脚TQFP封装
- 突发功能 —— 线性或交错突发顺序
- 低(16.5 mW)待机功耗
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