CY7C1334-50ACT

CY7C1334是一款3.3V的64K×32同步流水线突发静态随机存取存储器（SRAM），专门设计用于支持无等待状态的无限连续读写操作。该芯片配备先进的无总线延迟（NoBL™）逻辑，可在每个时钟周期传输数据，实现连续读写操作，显著提高SRAM的吞吐量，尤其适用于需要频繁进行写读转换的系统。它与ZBT SRAM MT55L64L32P引脚和功能兼容。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器，所有数据输出通过由时钟上升沿控制的输出寄存器。时钟输入由时钟使能（CEN）信号限定，当CEN无效时，操作暂停并延长前一个时钟周期。时钟上升沿的最大访问延迟为4.2 ns（133 MHz器件）。写操作由四个字节写选择（BWS[0 - 3]上划线）和写使能（WE）输入控制，所有写操作通过片上同步自定时写电路完成。三个同步芯片使能（CE1上划线、CE2、CE3上划线）和一个异步输出使能（OE上划线）便于进行存储体选择和输出三态控制。

• 引脚与ZBT™器件MT55L64L32P兼容，功能等效
• 支持133 MHz总线操作，零等待状态，每个时钟周期传输数据
• 内部自定时输出缓冲控制，无需使用OE
• 全寄存器（输入和输出），用于流水线操作
• 具备字节写能力
• 64K×32通用I/O架构
• 单3.3V电源供电
• 快速时钟到输出时间：133 MHz器件为4.2 ns；100 MHz器件为5.0 ns；80 MHz器件为7.0 ns；50 MHz器件为10.0 ns
• 时钟使能（CEN）引脚可暂停操作
• 同步自定时写操作
• 异步输出使能
• JEDEC标准100引脚TQFP封装
• 具备突发能力，支持线性或交错突发顺序
• 低待机功耗（16.5 mW）