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YJD70P03A
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 沟槽功率低压MOSFET技术。用于低导通电阻的高密度单元设计。高速开关
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJD70P03A
- 商品编号
- C2942382
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 111.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.464nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 477pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 779pF |
商品概述
WpMD2076是双P沟道逻辑模式功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽工艺制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 100%进行了∇VDS测试
应用领域
-电池管理-负载开关-电源管理