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NTLJF3117PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.3A
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- 描述
- 特性：FETKY配置，包含MOSFET和低正向压降（Vf）肖特基二极管。μCOO封装，提供外露漏极焊盘，实现出色的热传导。2×2 mm占位面积，与SC-88封装设计相同。独立引脚排列，提供电路设计灵活性。低外形（< 0.8 mm），便于在轻薄环境中使用。高电流肖特基二极管：2 A额定电流。应用：优化用于便携式应用，如手机、数码相机、媒体播放器等。DC-DC降压电路
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLJF3117PT1G
- 商品编号
- C350837
- 商品封装
- WDFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 531pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 采用FETKY™配置，集成MOSFET和低正向压降（Vf）肖特基二极管
- μCOOL™封装，漏极焊盘外露，导热性能出色
- 2 x 2 mm封装尺寸，与SC - 88封装设计相同
- 独立引脚布局，电路设计灵活
- 低外形（< 0.8 mm），易于应用于轻薄环境
- 大电流肖特基二极管，额定电流2 A
- 无铅器件
应用领域
- 专为手机、数码相机、媒体播放器等便携式应用优化
- DC - DC降压电路
- 锂离子电池应用
- 彩色显示屏和相机闪光灯调节器