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FCD260N65S3
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCD260N65S3
- 商品编号
- C348538
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@1.2mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.01nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.7pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，且更易于进行设计实现。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 222 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 24 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 248 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 计算机/显示电源-电信/服务器电源-工业电源-照明/充电器/适配器