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NTMFS5C612NLT1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:235A
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- 描述
- 功率 MOSFET，60V，196A，1.5mΩ，单 N 沟道
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS5C612NLT1G
- 商品编号
- C348543
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 235A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.953nF |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容，可将驱动损耗降至最低
- 可选可焊侧翼封装，便于光学检测
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准