AO3400A
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压（VDS）：30V。 漏极电流（ID）：5.8A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）：< 27mΩ（VGS = 10V）；< 31mΩ（VGS = 4.5V）；< 48mΩ（VGS = 2.5V）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO3400A
- 商品编号
- C347475
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 823pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 99pF |
优惠活动
购买数量
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