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TW1012T
N沟道 耐压:20V 电流:0.63A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。无铅设计/符合RoHS标准。ESD保护高达2kV
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TW1012T
- 商品编号
- C2903549
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0256克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 630mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 736.6pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60.67pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9.68pF |
商品概述
笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统中的电源管理
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 无铅设计/符合RoHS标准
- 静电放电(ESD)保护高达2kV
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