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HSM01P15
P沟道,电流:-1.3A,耐压:-150V
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- 描述
- 特性：100% EAS保证。 有绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：负载开关。 电源管理
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM01P15
- 商品编号
- C2903557
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
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