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HSBB3072
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 100% EAS 保证。有绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的 CdV/dt 效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB3072
- 商品编号
- C2903562
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.082克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 229pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
商品概述
- 负载开关-PWM应用
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 4.3 A
- VGS = 10 V 时的 RDS(ON)，典型值 28 mΩ
- VGS = 4.5 V 时的 RDS(ON)，典型值 32 mΩ
- VGS = 2.5 V 时的 RDS(ON)，典型值 47 mΩ