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HSBB6254
双N沟道,电流:22A,耐压:60V
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- 描述
- 特性：100% EAS 保证。 有绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的 CdV/dt 效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：负载开关。 电池保护
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB6254
- 商品编号
- C2903564
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.016nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 100% 保证符合 EAS 标准
- 提供环保型器件
- 极低的栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
- 100% 保证符合 EAS 标准
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 负载开关
- 电池保护
- 照明
- 桥接拓扑