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HSH3018B
1个N沟道 耐压:30V 电流:205A
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- 描述
- HSH3018B是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH3018B符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过抗雪崩能力（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH3018B
- 商品编号
- C2903574
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.151克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 205A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.85nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 525pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压（V） = 650 V
- 漏极电流 = 1 A
- 导通电阻 = 11 Ω