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HSBA3016
1个N沟道 耐压:30V 电流:108A
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- 描述
- HSBA3016是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBA3016符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS保证，并经过全面功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA3016
- 商品编号
- C2903565
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.205克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 100% 保证符合 EAS 标准
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 负载开关
- 电池保护
- 照明
- 桥接拓扑