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HSCB2903
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- HSCB2903 是高性能互补型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSCB2903 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSCB2903
- 商品编号
- C2903561
- 商品封装
- DFN-6L-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 677pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
总价金额：
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