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HSM0903
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- 特性：超低栅极电荷。 100% EAS保证。 有环保器件可供选择。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：电源管理。 DC电机控制
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM0903
- 商品编号
- C2903558
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.229nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 无铅设计/符合RoHS标准
- 静电放电（ESD）保护高达2kV