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TWE3139k
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.8A
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- 描述
- 漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-0.8A 功率(Pd)：0.15W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：290mΩ@4.5V,0.8A
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TWE3139k
- 商品编号
- C2903551
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 555mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 113pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
MSK30P02DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 表面贴装封装
- 低导通电阻(RDS(on))的P沟道开关
- 低逻辑电平栅极驱动操作
- 静电放电(ESD)保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口、逻辑开关
- 超小型便携式电子产品的电池管理
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