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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSM6056

1个N沟道 耐压:60V 电流:15A

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描述
先进沟槽MOS技术 低栅极电荷
品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSM6056
商品编号
C2903556
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.113克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th))2.3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.27nF

商品特性

  • 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
  • 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
  • 软体二极管可降低电压振铃
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准

应用领域

  • 同步整流
  • 交流-直流和直流-直流电源
  • 交流-直流适配器(USB PD)同步整流
  • 负载开关

数据手册PDF