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TW4614SQ-X
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:4.4A
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- 描述
- 漏源电压(Vdss)：±60V 连续漏极电流(Id)：±4.4A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@10V,5.3A
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TW4614SQ-X
- 商品编号
- C2903552
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 179pF；155pF |
商品概述
HSBA3016是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBA3016符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- N沟道
- P沟道
- VDS = 60 V
- VDS = -60 V
- ID = 4.4 A
- ID = -4.2 A
- VGS = 10 V,典型值37 mΩ
- VGS = -10 V,典型值53 mΩ
- VGS = 4.5 V,典型值43 mΩ
- VGS = -4.5 V,典型值60 mΩ
应用领域
-逆变器