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TWS1008SQ
1个N沟道 耐压:100V 电流:10.5A
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- 描述
- 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：10.5A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.7mΩ@10V,15A
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TWS1008SQ
- 商品编号
- C2903544
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.119克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.681nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 832pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V
- 漏极电流（ID） = -4 A
- 栅源电压（VGS） = -10 V时的导通电阻（RDS(ON)），典型值46 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V时的导通电阻（RDS(ON)），典型值50 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -2.5 V时的导通电阻（RDS(ON)），典型值63 mΩ
应用领域
- 通用描述
- 负载开关
- 脉冲宽度调制（PWM）