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FCH043N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:75A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH043N60
- 商品编号
- C330156
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 592W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 215nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.225nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET适用于各种AC/DC电源转换，有助于实现系统小型化和提高效率。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 37 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 163 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 730 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源-工业电源