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FDD306P
1个P沟道 耐压:12V 电流:6.7A
- 描述
- 此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 采用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品针对电池管理进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD306P
- 商品编号
- C336030
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 采用了仙童（Fairchild）先进的低压 PowerTrench 工艺，专为电池电源管理进行了优化。
商品特性
- -6.7 A，-12 V。VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 28 mΩ
- VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 41 mΩ
- VGS = -1.8 V 时，RDS(ON) = 90 mΩ
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 具备高功率和高电流处理能力
应用领域
- DC/DC 转换器