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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 116A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 585pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低rDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- rDS(ON) = 5.1 mΩ，VGS = 10 V，ID = 35 A
- rDS(ON) = 6.4 mΩ，VGS = 4.5 V，ID = 35 A
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的rDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器