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ECH8315-TL-H
1个P沟道 耐压:30V 电流:7.5A
- 描述
- 此功率 MOSFET 使用安森美半导体的沟槽技术，这是专为降低导通电阻而设计的技术。此器件适用于具有低导通电阻要求的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ECH8315-TL-H
- 商品编号
- C336038
- 商品封装
- SOT-28FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@24V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 875pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用沟槽技术制造,专门设计用于降低导通电阻。该器件适用于有低导通电阻要求的应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 4V驱动
- 带ESD二极管保护的栅极
- 无铅、无卤且符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-锂离子电池保护开关-电机驱动器