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FDMC8321L
FDMC8321L
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(on)、快速开关和体二极管反向恢复功能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8321L
- 商品编号
- C336041
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.181633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.33nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计,可最大程度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 22 A时,最大rDS(on) = 2.5 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 18 A时,最大rDS(on) = 4.1 mΩ
- 采用先进的封装和硅技术组合,实现低rDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术,具备软恢复特性
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流器
- 负载开关/或门开关
- 电机开关