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FDPF10N60ZUT
1个N沟道 耐压:600V 电流:9A
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- 描述
- UniFET II MOSFET是基于先进的平面条形和DMOS技术的高压MOSFET系列。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，同时还具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的人体模型（HBM）浪涌应力
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF10N60ZUT
- 商品编号
- C336034
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
UniFET II MOSFET是基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，同时还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的HBM浪涌应力。UniFET II Ultra FRFET MOSFET具有更出色的体二极管反向恢复性能。其trr小于50nsec，反向dv/dt抗扰度为20V/nsec，而普通平面MOSFET的trr和反向dv/dt抗扰度分别超过200nsec和4.5V/nsec。因此，在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中，UniFET II Ultra FRFET MOSFET可以省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- RDS(on) = 650 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 4.5 A
- 低栅极电荷(典型值31 nC)
- 低Crss(典型值15 pF)
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED/PDP电视
- 照明
- 不间断电源