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FDPF5N60NZ
1个N沟道 耐压:600V 电流:4.5A
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- 描述
- UniFET™ II MOSFET是基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，同时还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的人体模型（HBM）浪涌应力
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF5N60NZ
- 商品编号
- C330167
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 2.25 A 条件下，RDS(导通) = 1.65 Ω（典型值）
- 低栅极电荷（典型值 10 nC）
- 低 Crss（典型值 5 pF）
- 100%雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
- ESD 改善能力
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- LCD / LED / PDP 电视
- 照明
- 不间断电源
- AC-DC 电源