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FQPF9N90CT
FQPF9N90CT
- 描述
- 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF9N90CT
- 商品编号
- C330169
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 8 A、900 V,RDS(on) = 1.4 Ω(最大值)@ VGS = 10 V、ID = 4 A
- 低栅极电荷(典型值45 nC)
- 低Crss(典型值14 pF)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器