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FDS4685
1个P沟道 耐压:40V 电流:8.2A
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS4685
- 商品编号
- C336026
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.872nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 134pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 256pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺，具备坚固耐用的栅极设计。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 20V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -8.2 A，-40 V，VGS = -10 V时，RDS(ON) = 0.027 Ω
- VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 0.035 Ω
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- 电池保护