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NVTR01P02LT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.3A
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTR01P02LT1G
- 商品编号
- C336027
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
G15N10C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于功率开关应用和LED背光。
商品特性
- 低 RDS(ON) 可提高效率并延长电池寿命
- 微型SOT - 23表面贴装封装可节省电路板空间
- NVTR前缀适用于汽车及其他需要特定产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 提供无铅和无卤封装
应用领域
- DC - DC转换器
- 便携式和电池供电产品的电源管理
- 计算机
- 打印机
- PCMCIA卡
- 移动电话和无绳电话