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NVTR01P02LT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.3A
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTR01P02LT1G
- 商品编号
- C336027
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
G15N10C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于功率开关应用和LED背光。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 高非钳位感性负载开关性能（UIS），且UIS 100%测试
应用领域
-功率开关应用-LED背光