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FCPF380N65FL1
1个N沟道 耐压:650V 电流:10.2A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF380N65FL1
- 商品编号
- C336028
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适合用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可省去额外元件，提高系统可靠性。
商品特性
- 700 V @ T_J = 150°C
- RDS(on) = 320 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型值Q_g = 33 nC）
- 低有效输出电容（典型值C_oss(eff.) = 165 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED/PDP电视-电信/服务器电源-太阳能逆变器-交流-直流电源