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FCPF600N60Z
1个N沟道 耐压:600V 电流:7.4A
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- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF600N60Z
- 商品编号
- C330162
- 商品封装
- TO-220FPAB-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 840pF |
商品特性
- 在结温 (TJ) 为 150°C 时,耐压 650 V
- 典型导通电阻 (RDS(on)) 为 510 mΩ
- 超低栅极电荷(典型 Qg = 20 nC)
- 低有效输出电容(典型 Coss(eff.) = 74 pF)
- 经过 100% 雪崩测试
- 提高了静电放电 (ESD) 能力
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- LCD / LED / PDP 电视和显示器背光
- 太阳能逆变器
- 交流 - 直流电源