温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FCH47N60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:47A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH47N60N
- 商品编号
- C330158
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.666克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 368W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 151nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
SupreMOS® MOSFET是采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术，使其有别于传统的SJ MOSFET。这种先进技术和精确的工艺控制可提供最低的Rsp导通电阻、卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关功率转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用等。
商品特性
- 当TJ = 150°C时，耐压为650 V
- 当VGS = 10 V、ID = 23.5 A时，RDS(on) = 51.5 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 115 nC）
- 低有效输出电容（典型值Coss(eff.) = 511 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能逆变器-交流-直流电源