温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 181nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.17nF |
商品概述
SuperFET MOSFET是仙童半导体（Fairchild Semiconductor）第一代高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 79 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 139 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 340 pF）
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 太阳能逆变器-交流-直流电源