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HSL0107
1个P沟道 耐压:100V 电流:1.5A
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- 描述
- HSL0107 是高单元密度沟槽型 P 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSL0107 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSL0107
- 商品编号
- C2828485
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
商品概述
CS730 A3RD是一款采用自对准平面技术的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高的效率。其封装形式为TO - 251，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 增强的静电放电（ESD）能力
- 低栅极电荷（典型数据：14.5nC）
- 低反向传输电容（典型值：7.5pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 电子镇流器和适配器的功率开关电路。