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HSBA3004
1个N沟道 耐压:30V 电流:58A
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- 描述
- HSBA3004是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBA3004符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA3004
- 商品编号
- C2828500
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.844nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 183pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 228pF |
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 具备高功率和高电流处理能力
- 采用表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理