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HSH6115
1个P沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 描述
- HSH6115 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH6115 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH6115
- 商品编号
- C2828506
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.082克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 86.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.635nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 224pF |
商品概述
采用SOT-363塑料封装的双N沟道MOSFET。
商品特性
- 栅极触发电流灵敏，保持电流低。
- 具备ESD保护二极管。
- ESD等级：2200V HBM
应用领域
- 适用于通用开关和相位控制应用。