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HSH250N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:250A
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- 描述
- 100% EAS有保证。有绿色环保产品。超低导通电阻RDS(ON)。采用先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH250N10
- 商品编号
- C2828505
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.772克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 411W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 195nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.15nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 高功率和高电流处理能力
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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