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HSBA8024A
1个N沟道 耐压:80V 电流:122A
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- 描述
- HSBA8024A 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步整流应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBA8024A 符合 RoHS 和无卤产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过了全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA8024A
- 商品编号
- C2828503
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 122A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.58nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 278pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSBA3004是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBA3004符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有耐雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术