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HSP15810C
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 100%保证通过EAS测试 有绿色环保器件可供选择 超低导通电阻RDS(ON) 先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP15810C
- 商品编号
- C2828504
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.725nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSBA8024A是高单元密度沟槽N沟道MOSFET，可为大多数同步整流应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBA8024A符合RoHS和无卤产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 提供环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术