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HSBA6214
2个N沟道 耐压:60V 电流:17A
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- 描述
- HSBA6214是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBA6214符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA6214
- 商品编号
- C2828502
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.027nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CS7N65F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 1.4Ω）
- 低栅极电荷（典型数据：24nC）
- 低反向传输电容（典型值：5.5pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。