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HSBA6066
1个N沟道 耐压:60V 电流:78A
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- 描述
- 先进的沟槽MOS技术。低栅极电荷。低导通电阻RDS(ON)。100%保证EAS。有环保器件可供选择
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA6066
- 商品编号
- C2828501
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.251克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 438pF |
商品概述
SFGMOS MOSFET基于独特的器件设计，实现了低导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。低阈值电压（Vth）系列专为低驱动电压的同步整流系统进行了特别优化。
商品特性
- 低导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的可靠性和一致性
- 快速开关和软恢复
应用领域
-PD充电器-电机驱动器-开关稳压器-DC-DC转换器-开关模式电源