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HSM24P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:24A
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- 描述
- HSM24P03是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM24P03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM24P03
- 商品编号
- C2828488
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.24nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 410pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HSM20N02是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSM20N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了易感性雪崩耐量（EAS）测试，并经过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
应用领域
- 电池保护
- 电源管理