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HSM0204
2个N沟道 耐压:100V 电流:2.5A
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- 描述
- HSM0204 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSM0204 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM0204
- 商品编号
- C2828491
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.289克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37.4pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSM4313是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSM4313符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有耐雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证耐雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术