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HSM4313
2个P沟道 耐压:40V 电流:6.5A
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- 描述
- HSM4313 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM4313 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM4313
- 商品编号
- C2828487
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.254克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.004nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HSCB2016是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSCB2016符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术