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OSG60R580FTF
增强模式N通道功率MOSFET,电流:8A,耐压:600V
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- 描述
- 高压MOSFET利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。通用系列针对极端开关性能进行了优化，以最大限度地减少开关损耗。专为高功率密度应用量身定制，以满足最高效率标准。
- 商品型号
- OSG60R580FTF
- 商品编号
- C2762903
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 410.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 41.7pF |
商品概述
SFGMOS MOSFET基于独特的器件设计，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。高阈值电压（Vth）系列专门针对栅极驱动电压大于10V的高压系统进行了优化。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 快速开关和软恢复
应用领域
- 开关模式电源
- 电机驱动器
- 电池保护
- DC-DC转换器
- 太阳能逆变器
- 不间断电源（UPS）和能量逆变器