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HCESD0603LC5VB-M
双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2.5A@8/20us
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- 描述
- 这款Bi双向保护器件专为单通道设计，工作电压为5V，能够从两个方向防护，承受2A的峰值电流冲击，具有低至3pF的电容值，确保高效保护电路免受瞬态电压影响的同时，维持信号传输的高速与清晰，是精密电子应用的优选方案。
- 商品型号
- HCESD0603LC5VB-M
- 商品编号
- C25503823
- 商品封装
- DFN0603-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00515克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 12V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 2.5A@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 3pF |
商品概述
HCESD0603LC5VB-M用于保护敏感的半导体组件，防止其因静电放电和其他电压引起的瞬态事件而受损或功能失常。其优异的钳位能力、低漏电流、低电容和快速响应时间为暴露于静电放电环境的设计提供了卓越的保护性能。该器件为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。
商品特性
- 小型封装尺寸：0.61 mm × 0.31 mm
- 低封装高度：0.28 mm
- 低漏电流
- 典型响应时间 < 1 ns
- 符合人体模型标准，静电放电等级为3级
- 符合IEC61000-4-2标准第4级静电放电保护要求
- 无铅器件
- 产品材料符合RoHS要求且无卤素