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HSYSD08C

双向ESD 8V截止峰值浪涌电流：15A

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描述: 此款Bi向单通道保护器件，具备8V电压耐压(VRWM)，能有效承受15A峰值脉冲电流(IPP)，为电路提供坚实保护。其110pF的典型电容值(CJ)设计，针对信号速度非关键应用优化，确保在高能瞬变下仍保持良好的保护效果与系统兼容性，是提升电路防护等级的优选元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HSYSD08C
商品编号: C25503834
商品封装: SOD-323
包装方式: 编带
商品毛重: 0.016克(g)

商品参数

商品概述

HSYSD08C器件可保护敏感的半导体元件免受静电放电及其他电压引起的瞬态事件所造成的损坏或干扰。其卓越的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间，为暴露在静电放电环境下的设计提供了同类产品中保护性能。该器件为设计者提供了灵活性，可在不便于使用阵列的应用中保护一条双向线路。采用SOD-323封装。

商品特性

小巧的封装外形尺寸
低封装高度
峰值功率高达350W（8/20μs脉冲条件下）
低泄漏电流
响应时间典型值小于1 ns
IEC61000-4-2 4级静电放电保护
IEC61000-4-4 4级电快速瞬变脉冲群保护

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	8V
	钳位电压	28V
	峰值脉冲电流(Ipp)	15A
	峰值脉冲功率(Ppp)	350W@8/20us
	击穿电压(VBR)	8.5V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	110pF