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STF5NK100Z
1个N沟道 耐压:1kV 电流:3.5A
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- 描述
- 新的SuperMESH™系列功率MOSFET是在ST成熟的基于条形的PowerMESH™布局上进一步设计改进的成果。除了显著降低导通电阻外，该器件还具有出色的dv/dt能力，以确保即使在最苛刻的应用中也能实现最佳性能。SuperMESH™器件进一步完善了现有的一系列创新高压MOSFET，其中包括革命性的MDmesh™产品。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF5NK100Z
- 商品编号
- C262939
- 商品封装
- TO-220FPAB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V,1.75A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@800V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.154nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.3pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
全新的SuperMESH系列功率MOSFET是在成熟的条形PowerMESH布局基础上进一步改进设计的成果。除了显著降低导通电阻外，该器件还具备出色的dv/dt能力，即使在要求最严苛的应用中也能确保最佳性能。SuperMESH器件进一步完善了现有的一系列创新型高压MOSFET，其中包括具有开创性的MDmesh产品。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的固有电容
- 极佳的制造重复性
应用领域
- 开关应用