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DMN5L06VAK-7
2个N沟道 耐压:50V 电流:280mA
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- 描述
- 特性：双N沟道MOSFET。 低导通电阻。 极低的栅极阈值电压，最大1.0V。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 ESD保护高达2kV。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN5L06VAK-7
- 商品编号
- C260916
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压，最大1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 静电放电（ESD）防护能力高达2kV
- 符合AEC-Q101高可靠性标准