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DMN2300UFD-7-81
N沟道,电流:1.73A,耐压:20V
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2300UFD-7-81
- 商品编号
- C260861
- 商品封装
- X1-DFN1212-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.73A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 67.62pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.58pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- “无铅”，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 栅极具备2KV静电防护
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 负载开关